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电子元器件详细资料 » IC[20234] » IPD50R800CE
型号:IPD50R800CE类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63描述:MOSFET N CH 500V 5A TO252

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N CH 500V 5A TO252
系列CoolMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)500V
电流_连续漏极(Id)0a025000C5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C800 毫欧 @ 1.5A, 13V
Id时的Vgs(th)111最大2223.5V @ 130µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs1.5nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds280pF @ 100V
功率_最大40W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装PG-TO252-3
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市科翼源电子有限公司朱小姐13510998172
深圳市华雄半导体(集团)有限公司王0512-67241533
深圳市鹏顺兴科技有限公司谭小姐0755-23063133/83238712
深圳信泰电子器材有限公司廖先生0755-83242658
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